Rozwiązanie
Ad.1 Przy napięciu zasilającym U
CC=10 V wybrany punkt pracy niech ma wartości
IC=2 mA oraz
UCE=5 V.
Ad.2 Z charakterystyk rys. c) można odczytać dla temperatury 25°C i prądu I
C=2 mA wartość typową
b=300 - czerwony punkt na charakterystyce narysowanej zielonym kolorem. Z charakterystyk rys. d) można odczytać dla temperatury 25°C i prądu I
C=2 mA wartość typową
UBE=625 mV - czerwony punkt na charakterystyce narysowanej zielonym kolorem.
Ad.3 Korzystając z
I prawa Kirchhoffa,
II-go prawa Kirchhoffa oraz z
Prawa Ohma można przy pomocy zaznaczonych na rys. b) rozkładów napięć i prądów wyprowadzić wzory oraz obliczyć R
E i R
C.
Obliczenie RC oraz RE trzeba wykonać rozpatrując obwód kolektora
UCC=IC· RC+ UCE+ IE· RE
wiadomo,że IE=IC+IB oraz IC=b·IB+(1+b)·IC0
ponieważ IC0 jest bardzo małe to IC=b·IB, a IB=IC/b
czyli IE=IC+ IC/b
a więc UCC=IC· RC+ UCE+ (IC+ IC/b)· RE
ponieważ IC jest znacznie większe od IC/b to UCC=IC· RC+ UCE+ IC· RE
UCC- UCE=IC·(RC + RE)
RC+ RE=(UCC- UCE)/IC
RC+ RE=(10 - 5)/2 [V/mA]=2,5 kW
Dla pełnej analizy należy rozważyć dwa przypadki dla małej i dużej wartości R
E
przypadek a) można przyjąć RE=100W to RC=2,4 kW
przypadek b) można przyjąć RE=1 kW to RC=1,5 kW
Ad.4 Korzystając z
I prawa Kirchhoffa,
II-go prawa Kirchhoffa oraz z
Prawa Ohma, a co najważniejsze wykorzystując
twierdzenia Thevenina i informacje zawarte w dziale "Elementy RLC", a dotyczącyce
dzielnika napięciowego można przy pomocy zaznaczonych na rys. b) rozkładów napięć i prądów wyliczyć wartość R
B a następnie R1 i R2. Źródło napięcia U
B i rezystor R
B są równoważne dzielnikowi złożonemu z R1, R2 i U
CC.
Obliczenie RB najlepiej jest przeprowadzić rozpatrując obwód bazy jako theveninowski układ zastępczy dzielnika R1, R2 obciążonego rezystancją wejściową widzianą z bazy tranzystora.
Ale jak wyliczyć taką rezystancję wejściową
rwe? Otóż niech napięcie na bazie U
bazy zmieni się o
DUbazy to napięcie na emiterze zmieni się o
DUE=DUbazy co spowoduje zmianę prądu emitera
DIE=DUE/RE=DUbazy/RE
a ponieważ IE=IC+ IB=(b + 1)·IB
to DIE=DIB·(b+1)
można więc napisać DIB·(b+1)=DUbazy/RE
i w końcu wyliczyć rezystancję rwe=DUbazy/DIB=(b+1)·RE
Można więc powiedzieć, że theveninowski układ zastępczy dzielnika R1, R2 jest obciążony rezystancją
rwe=(b+1)·RE
Jak to jest opisane w dziale
Elementy RLC - dzielnik napięcia aby uznać, że obciążenie nie zmienia napięcia wyjściowego dzielnika musi być spełniony warunek
rwe>>RB
w praktyce wystarczy, że spełnione zostanie
rwe=10·RB
i w ten sposób otrzymuje się zależność na R
B pozwalającą na dalsze Obliczenie rezystorów R1 i R2
RB=rwe/10=[(b+1)·RE]/10
przypadek a) dla RE=100W RB=301·100/10 [W]=3010 W=3 kW
przypadek b) dla RE=1 kW RB=301·1/10 [kW]=30,1 kW
Można teraz przejść do wyliczenia wartości R1 i R2 po uprzednim obliczeniu napięcia U
B.
Obliczenie UB
UB=URB+ UBE+ URE
UB=IB· RB+ UBE+ IE· RE
korzystają z zależności na IC, IB i IE jak w punkcie Ad.3 można napisać
UB=(IC/b)·RB+ UBE+ IC·(1+1/b)·RE
ponieważ 1 >>1/b to UB=IC· (RB/b + RE) + UBE
przypadek a) dla RE=100W UB=2 · (3/300 + 0,1) + 0,625 [mA·kW+V]=0,845 V
przypadek b) dla RE=1 kW UB=2 · (30,1/300 + 1) + 0,625 [mA·kW+V]=2,826 V
Obliczenie R1
Z
twierdzenia Thevenina i informacji zawartych w dziale "Elementy RLC", a dotyczącycych
dzielnika napięciowego wynikają wzory na R
B i U
B
RB=(R1·R2)/(R1+R2) UB=UCC· [R2/(R1+R2)]
ze wzorów tych wyprowadza się wzory na R1 i R2
RB=(R1·R2)/(R1+R2) / :R1
RB/R1=R2/(R1+R2) zależność tą podstawia się do wzoru na UB
UB=UCC·(RB/R1) i wylicza się R1
R1=RB· (UCC/UB)
przypadek a) dla RE=100W R1=3 · (10/0,845) [kW·V/V]=35,5 kW
przypadek b) dla RE=1 kW R1=30,1 · (10/2,826) [kW·V/V]=106,5 kW
Obliczenie R2
UB=UCC· [R2/(R1+R2)] / ·(R1+R2)
UB· R1+UB· R2=UCC· R2
R2=R1· [UB/(UCC- UB)]
przypadek a) dla RE=100W R2=35,5 · [(0,845/(10 - 0,845)] [kW·V/V]=3,28 kW
przypadek b) dla RE=1 kW R2=106,5 · [(2,826/(10 - 2,826)] [kW·V/V]=41,95 kW
W ten sposób zostały obliczone wszystkie elementy układu i to dla dwóch przypadków:
a) dla małej wartości RE
RE=100 W RC=2,4 kW
R1=35,5 kW R2=3,28 kW
UB=0,845 V RB=3 kW
b) dla dużej wartości RE
RE=1 kW RC=1,5 kW
R1=106,5 kW R2=41,95 kW
UB=2,826 V RB=30,1 kW
Ad.5 Postępując identycznie jak dla punktu ad.2, dla temperatury T=125°C i prądu I
C=2 mA, można z charakterystyk odczytać wartość
b=360 - punkt żółty na zielonej charakterystyce z rys. c) i wartość
UBE=430 mV - punkt żółty na czarnej charakterystyce z rys. d).
Ad.6 Dla odczytanych (przy temperaturze T=125°C) wartości
b=360 i
UBE=430 mV należy obliczyć punkt pracy czyli prąd
IC oraz napięcie
UCE i porównać z zakładanym punktem pracy.
Obliczanie IC - należy skorzystać z
wyprowadzonego wzoru na I
C
IC=(UB- UBE)/(RE + RB/b)
a) dla małej wartości RE
IC=(0,845 - 0,43)/(0,1 + 3/360) [V/kW]=3,83 mA
b) dla dużej wartości RE
IC=(2,826 - 0,43)/(1 + 30,1/360) [V/kW]=2,21 mA
Obliczanie UCE
UCE=UCC- IC· RC- IE· RE
UCE=UCC- IC· [RC+ (1+1/b)·RE]
a) dla małej wartości RE
UCE=10 - [3,83 · (2,4 + (1 + 1/360)·0,1)] [V - mA·kW]=0,42 V
b) dla dużej wartości RE
UCE=10 - [2,21 · (1,5 + (1 + 1/360)·1)] [V - mA·kW]=4,47 V
Punkt pracy dla temperatury 125°C wynosi:
a) dla małej wartości RE
IC=3,83 mA UCE=0,42 V
b) dla dużej wartości RE
IC=2,21 mA UCE=4,47 V
Ad.7 Postępując identycznie jak dla punktu ad.2 i ad.5, dla temperatury T=25°C i prądu I
C=2 mA, można z charakterystyk odczytać rozrzut wartości
b=200 i
b=430 - punkty zielone na czerwonych charakterystykach z rys. c) oraz rozrzut wartości
UBE=560 mV i
UBE=700 mV - punkty zielone na czerwonych charakterystykach z rys. d).
Ad.8 Dla odczytanych w poprzednim punkcie wartości
b=200 i
b=430 oraz
UBE=560 mV i
UBE=700 mV należy obliczyć identycznie jak w punkcie ad.5 punkt pracy.
Punkt pracy dla b=200 i UBE=700 mV
a) dla małej wartości RE
IC=1,26 mA UCE=6,85 V
b) dla dużej wartości RE
IC=1,85 mA UCE=5,37 V
Punkt pracy dla b=430 i UBE=560 mV
a) dla małej wartości RE
IC=2,66 mA UCE=3,35 V
b) dla dużej wartości RE
IC=2,12 mA UCE=4,7 V
Ad.9 Z otrzymanych wyników można wyciągnąć następujące wnioski:
- punkt pracy mocno zależy od zmian parametrów tranzystora od temperatury,
- punkt pracy mocno zależy od rozrzutu produkcyjnego parametrów tranzystora,
- dla układu z potencjometrycznym zasilaniem bazy i sprzężeniem emiterowym zmiany
punktu pracy zależą w głównej mierze od zmian
b w funkcji temperatury i od rozrzutu
tego parametru, a w zdecydowanie mniejszym stopniu od zmian i rozrzutu U
BE o ile
rezystancja R
E będzie wystarczająco duża,
- porównując otrzymane wyniki z wynikami z
przykładu 4.1.2 i
przykładu 4.1.3 widać, że
omawiany układ polaryzacji tranzystora jest bardziej odporny na rozrzut parametrów
tranzystora, jak również na ich zmiany w funkcji temperatury, od układu z wymuszonym
prądem bazy, czy też ze sprzężeniem kolektorowym pod warunkiem, że wartość
rezystora R
E będzie wystarczająco duża, dla zbyt małych wartości R
E układ zachowuje
się podobnie jak układ z potencjometrycznym zasilaniem bazy bez ujemnego
sprzężenia emiterowego (R
E=0).
Zadanie opracowane na podstawie zadania z książki "Układy elektroniczne cz.I - Układy analogowe liniowe" - Z.Nosal, J.Baranowski